Samsung, nuovi Galaxy più freddi e potenti con Heat Pass Block per Exynos 2600
Secondo un report coreano, il nuovo chip, atteso sui Galaxy S26, integrerà un dissipatore in rame direttamente nel package per una migliore gestione del calore.
Dopo aver mostrato risultati promettenti nei recenti benchmark su Geekbench dell'Exynos 2600, arrivano altre interessanti novità in merito al nuovo chip di punta di Samsung.
Secondo un report proveniente dalla Corea, Samsung avrebbe sviluppato un'innovativa tecnologia di raffreddamento per il suo prossimo chip di punta, denominata Heat Pass Block (HPB).
Questa soluzione mira a dissipare il calore in modo più efficiente rispetto agli approcci tradizionali. Solitamente, un chipset per smartphone ha una struttura "package-on-package", in cui la RAM è impilata sopra al die che racchiude CPU, GPU, NPU e ISP. La tecnologia HPB aggiunge un nuovo strato in questo "pacchetto", un dissipatore di calore in rame integrato direttamente nella struttura.
A differenza dei comuni heatspreader, che vengono aggiunti esternamente dopo l'assemblaggio, l'HPB si trova molto più vicino alla fonte del calore, permettendo di estrarlo in modo più rapido ed efficace.
Questa innovazione termica si abbinerà al processo produttivo a 2nm Gate-All-Around (GAA) con cui sarà realizzato l'Exynos 2600.
Il debutto di questo nuovo SoC è atteso con la serie Galaxy S26, prevista per la fine di gennaio o l'inizio di febbraio 2026, ma resta da vedere come Samsung distribuirà i chip nella sua futura gamma di punta.
È probabile che il modello Galaxy S26 Ultra utilizzi un processore Snapdragon in alcuni o tutti i mercati, mentre non è ancora chiaro se gli altri modelli seguiranno l'esempio del Galaxy Z Flip7, con chip Exynos in tutti i mercati, o se la scelta del chip varierà a seconda della regione.
